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넓은 범위의 마이크로프로세서를 지원하기 위한 레거시 DRAM 기술 제공

ISSI_campaign_Sept_2023Integrated Silicon Solutions Inc. (ISSI)와 Rochester Electronics가 파트너십을 맺어 소중한 고객사에 넓은 범위의 ISSI 메모리 제품을 제공합니다. Rochester는 중요한 두 가지 DRAM 기술에 대한 재고를 최근 수령했는데, 바로 SDRAM과 DDR3입니다. 장기적이고 연장된 수명 주기를 지원하기 위해 노력하는 Rochester는 코어 장치를 확보하는 것뿐 아니라 고객의 기존 제품에 포함된 관련 장치를 확보하는 것이 매우 중요하다는 것을 이해합니다. ISSI 메모리 제품의 통합은 Rochester가 이미 지원하는 마이크로프로세서, DSPs, 주요 제품 등을 강하게 보완합니다.

ISSI와 Rochester의 파트너십을 통해 공통 고객들은 기술에 따라 16Mb부터 4Gb까지의 밀도를 가진 다양한 DRAM과 표준 Sync DRAM, DDR, DDR2, DDR3, DDR4 DRAMs와 저지연 RLDRAM2까지 이르는 DRAM에 접근할 수 있습니다. 이러한 제품은 장기적 수명을 가진 의료, 산업, 군용 분야 등 수많은 임베디드 시스템의 코드 및 데이터 보관에서 가장 중요한 메모리로 선택됩니다.

Rochester의 ISSI SRAM에는 1Mb, 2Mb, 4Mb의 밀도를 가진 표준, 고속, 저속 장치가 포함되어 있습니다. 이 다용도적인 장치는 빠른 메모리 접근이 필요한 애플리케이션에서 사용됩니다. 이러한 장치들은 버퍼링이나 캐시와 같이 높은 성능을 요구하는 애플리케이션부터 모바일 애플리케이션처럼 저전력을 요구하는 애플리케이션에 이르기까지 다양한필요를 충족합니다.

Rochester의 ISSI FLASH 메모리는 512k ~ 1Gb의 밀도를 가진 SPI/쿼드 SPI FLASH입니다. 이러한 장치는 산업 표준 SPI 직렬 인터페이스를 지원해 핀 카운트의 감소와 컴팩트한 패키징을 가능하게 합니다. 코드 섀도잉부터 RAM, XIP(Executing in-place) 작동, 그리고 비휘발성 데이터 저장까지, Rochester의 FLASH 메모리는 다양한 산업 범위에 사용되는 애플리케이션에서 사용됩니다.

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