과거의 레거시 메모리 장치 알아보기
Rochester Electronics의1970s 가장 유행했던 반도체 시리즈의 다음 제품은 1103 상업용 DRAM입니다.
다양한 반도체 메모리 장치 중, DRAM(다이내믹 랜덤 액세스 메모리)의 도입은 전자 시스템 및 제품에 특히 영향을 미쳤습니다. 최초의 단일 셀 DRAM 특허권은 Dr. Robert H. Dennard와 IBM이 1968년 받게 되었으며, DRAM 개념의 상용화 역시 빠르게 뒤따랐습니다.
1969년, Honeywell은 3-트랜지스터 다이내믹 메모리 셀 개념을 데이터를 저장하는데에 사용되었고, 상용화와 대량 설계를 할 파트너를 찾았습니다.
처음에는 p-MOS 기술을 통해 허용 가능한 수율을 얻기 위해 고군분투한 후, 필수적인 추가 설계 변경(매몰된 접점)은 수율을 극적으로 향상시켰고 훨씬 더 작은 트랜지스터 구조도 가능하게 만들었습니다. 성능은 2밀리초간 32 판독 사이클까지 높아졌습니다. 실리콘 설계 신판 시리즈는 생산 수율을 개선했고 Intel은 결국 1970년 1103 DRAM (1kb – 1024bytes)을 출시했습니다.
이 때까지 자기 코어 메모리는 산업용 표준이었습니다. 재료와 어셈블리 측면에서 매우 집약적이고 물리적으로 큰 자기 코어 메모리는 더 저렴한 DRAM으로 빠르게 대체되었습니다. 1972년, 1103 DRAM은 세계에서 가장 많이 판매되는 반도체였습니다. 설계는 여러 반도체 제조업체들과 상호 특허 사용 허가를 받아 “표준"으로 사용 가능한 최초의 메모리 장치 중 하나가 되었습니다.
Intel은 1985년 DRAM을 시장에서 철수시켰고, 그 후 일본이 주로 공급하다가 Hynix와 Samsung 같은 한국 공급업체로 넘어오게 되었습니다. 오늘날 DRAM의 전반적인 시장 내에서의 사용은 기존 구매자-판매자 패러다임보다는 상품처럼 공급과 가격 책정이 이루어진다는 것을 의미합니다.
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Rochester Electronics는 40년 이상 반도체 메모리 시장을 지원해오고 있습니다. Rochester는 여러 제조업체의 다양한 DRAM 장치를 지속적으로 지원하고 있습니다.
Rochester의 메모리 포트폴리오는 산업 표준 패키지에 담긴 다양한 공급업체의 휘발성 및 비휘발성 제품으로 이루어진 10,000개 이상의 제품으로 구성된 1억 3천 5백만 개의 유닛을 포함합니다.
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Citation: Bellis, Mary. "Who Invented the Intel 1103 DRAM Chip?" ThoughtCo, Aug. 27, 2020, thoughtco.com/who-invented-the-intel-1103-dram-chip-4078677.
1103 DRAM image ©Thomas Nguyen - Own work, CC BY-SA 4.0, https://commons.wikimedia.org/w/index.php?curid=49532861
