IPB038N12N3GATMA1
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제조업체:Infineon
카테고리:Discretes
설명:Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 120V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

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Infineon
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제조업체 부품 번호
IPB038N12N3GATMA1
제조사
Infineon
제조사 주문 코드
SP000694160
일반 PN
XPB038N12
제조사 수명 주기
NRND
패키지 유형
PG-TO263-3
패키지 핀 수
3
ROHS 준수
Yes
리드프리
No
패키지 유형
Tape & Reel
패키지 수량
1000
기술 카테고리
Discretes
기술 하위 카테고리
Transistor
기술 그룹
MOSFETs/FETs
미국 HTS 코드
8541.29.0055
ECCN
EAR99