<iframe src="https://www.googletagmanager.com/ns.html?id=GTM-55NBRK3" height="0" width="0" style="display:none;visibility:hidden"> 제품: IPB038N12N3GATMA1
중동 지역 상황을 지속적으로 주시하고 있으며, 모든 서비스는 정상적으로 운영되고 있습니다.더 읽어보기 →
뉴스문의하기로그인
장바구니: 비어있음
IPB038N12N3GATMA1
재고 없음
정확한 제품 이미지는 제품 데이터시트를 참조하세요.
Manufacturer:Infineon
Category:Discretes
Description:Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 120V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

데이터시트
게시물 공유
내 가격:US$1.99(₩3,015)
더 많이 구매하고 절약하세요! 참조 가격표.
Infineon
재고 없음
비용
수량단가25-99US$1.99(₩3,015)100-499US$1.89(₩2,864)500-999US$1.79(₩2,712)1000-9999US$1.69(₩2,561)10000+US$1.59(₩2,409)
가격, 가용성 및 리드 타임은 주문 시점에 확인될 수 있습니다.
제품 코드
IPB038N12N3GATMA1
제조사
Infineon
제조사 주문 코드
SP000694160
일반 PN
XPB038N12
제조사 수명 주기
NRND
패키지 유형
PG-TO263-3
패키지 핀 수
3
ROHS 준수
Yes
리드프리
No
패키지 유형
Tape & Reel
패키지 수량
1000
기술 카테고리
Discretes
기술 하위 카테고리
Transistor
기술 그룹
MOSFETs/FETs
미국 HTS 코드
8541.29.0055
ECCN
EAR99