<iframe src="https://www.googletagmanager.com/ns.html?id=GTM-55NBRK3" height="0" width="0" style="display:none;visibility:hidden"> 제품: FZ3600R17HE4HOSA2
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FZ3600R17HE4HOSA2
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Manufacturer:Infineon
Category:Discretes
Description:Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel

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Infineon
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비용
수량단가1-24US$980.61(₩1,478,760)25-99US$951.19(₩1,434,395)100-499US$921.77(₩1,390,029)500-999US$892.36(₩1,345,679)1000+US$862.94(₩1,301,314)
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제품 코드
FZ3600R17HE4HOSA2
제조사
Infineon
제조사 주문 코드
SP001172090
일반 PN
FZXR17H4F
제조사 수명 주기
Active
패키지 유형
AG-IHMB19-411
패키지 핀 수
0
ROHS 준수
Yes
리드프리
Yes
패키지 유형
Tray
패키지 수량
1
기술 카테고리
Discretes
기술 하위 카테고리
Transistor
기술 그룹
IGBT Module
미국 HTS 코드
8541.29.0055
ECCN
EAR99