BSM50GP120BOSA1
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Manufacturer:Infineon
Category:Discretes
Description:Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

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Infineon
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US$302.55(₩464,989)|
비용
수량단가1-24US$302.55(₩464,989)25-99US$293.47(₩451,034)100-499US$284.40(₩437,094)500-999US$275.32(₩423,139)1000+US$266.24(₩409,184)
가격, 가용성 및 리드 타임은 주문 시점에 확인될 수 있습니다.
제품 코드
BSM50GP120BOSA1
제조사
Infineon
제조사 주문 코드
SP000100379
일반 PN
BSM50GP120
제조사 수명 주기
NRND
패키지 유형
AG-ECONO3-3
패키지 핀 수
0
ROHS 준수
Yes
리드프리
Yes
패키지 유형
Tray
패키지 수량
10
기술 카테고리
Discretes
기술 하위 카테고리
Transistor
기술 그룹
IGBT Module
미국 HTS 코드
8541.29.0055
ECCN
EAR99