ISSI와 Rochester의 파트너십을 통해 공통 고객들은 기술에 따라 16Mb부터 4Gb까지의 밀도를 가진 다양한 DRAM과 표준 Sync DRAM, DDR, DDR2, DDR3, DDR4 DRAMs와 저지연 RLDRAM2까지 이르는 DRAM에 접근할 수 있습니다. 이러한 제품은 장기적 수명을 가진 의료, 산업, 군용 분야 등 수많은 임베디드 시스템의 코드 및 데이터 보관에서 가장 중요한 메모리로 선택됩니다.
Rochester의 ISSI SRAM에는 1Mb, 2Mb, 4Mb의 밀도를 가진 표준, 고속, 저속 장치가 포함되어 있습니다. 이 다용도적인 장치는 빠른 메모리 접근이 필요한 애플리케이션에서 사용됩니다. 이러한 장치들은 버퍼링이나 캐시와 같이 높은 성능을 요구하는 애플리케이션부터 모바일 애플리케이션처럼 저전력을 요구하는 애플리케이션에 이르기까지 다양한필요를 충족합니다.
Rochester의 ISSI FLASH 메모리는 512k ~ 1Gb의 밀도를 가진 SPI/쿼드 SPI FLASH입니다. 이러한 장치는 산업 표준 SPI 직렬 인터페이스를 지원해 핀 카운트의 감소와 컴팩트한 패키징을 가능하게 합니다. 코드 섀도잉부터 RAM, XIP(Executing in-place) 작동, 그리고 비휘발성 데이터 저장까지, Rochester의 FLASH 메모리는 다양한 산업 범위에 사용되는 애플리케이션에서 사용됩니다.
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